Слои 0-2---24H
Слои 4-8---48H
Слои 10-12---72H
FedEx/UPS/DHL
......
Центр продуктов
Мы установили долгосрочные отношения сотрудничества со многими клиентами.
Применение продукта
Добро пожаловать, клиент со всего мира приезжает к нам по делам
О нас
Шэньчжэнь Uniwell Circuits Co., Ltd.
Фабрика в Шэньчжэне была основана в апреле 2007 года и предназначена для быстрой обработки заказов, прототипов, образцов и небольших объемов с 8000-10000 типами в месяц и быстрой обработкой в течение 24 часов. Около 350 сотрудников, 60 инженеров, 50 сотрудников по обеспечению и контролю качества и так далее.
Фабрика Цзянмэнь была основана в октябре 2010 года и предназначена для среднего и массового производства. Прибл. 500 сотрудников, мощность 2 000 номера деталей и 30 000 кв. м в месяц. В 2017 году мы получили национальное высокотехнологичное предприятие. В октябре 2019 года завод в Цзянмэнь провел масштабное расширение и реконструкцию.
Фабрика Цзянмэнь была основана в октябре 2010 года и предназначена для среднего и массового производства. Прибл. 500 сотрудников, мощность 2 000 номера деталей и 30 000 кв. м в месяц. В 2017 году мы получили национальное высокотехнологичное предприятие. В октябре 2019 года завод в Цзянмэнь провел масштабное расширение и реконструкцию.
-
+
Заводское пространство

-
+
Старший технический инженер

-
+
Сотрудники компании

-
+
Глобальные клиенты

Видеоцентр
Добро пожаловать, клиент со всего мира приезжает к нам по делам.
Тимбилдинг Uniwell
Тимбилдинг Uniwell
Наша честь
Официальные сертификаты, отличное послепродажное обслуживание поставщика и т. д.
Центр новостей
Dec 05, 2025
Основное различие между высокоскоростными-платами и обычными печатными платами заключается в их способности стабильно...
Dec 03, 2025
Платы HDI в основном делятся на следующие четыре категории, расположенные по возрастающей технической сложности: Плат...
Dec 01, 2025
Высокочастотная-плата в основном играет следующие основные роли в базовых станциях 5G: 1. «Канал с низкими потерями» ...
Dec 01, 2025
Высокочастотная -плата изготовлена из материалов с низкой диэлектрической проницаемостью (Dk ≈ 2,1–2,6) и низким ко...





























